Справочник MOSFET. OSG70R360DTF

 

OSG70R360DTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG70R360DTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG70R360DTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R360DTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R360DTF

 4.1. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdfpdf_icon

OSG70R360DTF

 4.2. Size:944K  oriental semi
osg70r360dsf.pdfpdf_icon

OSG70R360DTF

 5.1. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdfpdf_icon

OSG70R360DTF

Другие MOSFET... OSG70R350AF , OSG70R350DF , OSG70R350DTF , OSG70R350FF , OSG70R350KF , OSG70R350PF , OSG70R360DF , OSG70R360DSF , EMB04N03H , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , OSG70R360FTF , OSG70R360KSF , OSG70R420DEF , OSG70R500AF , OSG70R500DF , OSG70R500FF .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.