Справочник MOSFET. OSG70R360FSF-NB

 

OSG70R360FSF-NB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG70R360FSF-NB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG70R360FSF-NB

 

 

OSG70R360FSF-NB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:380K  oriental semi
osg70r360fsf-nb.pdf

OSG70R360FSF-NB
OSG70R360FSF-NB

 2.1. Size:987K  oriental semi
osg70r360fsf.pdf

OSG70R360FSF-NB
OSG70R360FSF-NB

 4.1. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdf

OSG70R360FSF-NB
OSG70R360FSF-NB

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top