Справочник MOSFET. OSG70R360FTF

 

OSG70R360FTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG70R360FTF
   Маркировка: OSG70R360FT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG70R360FTF

 

 

OSG70R360FTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 4.1. Size:380K  oriental semi
osg70r360fsf-nb.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 4.2. Size:987K  oriental semi
osg70r360fsf.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 5.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 5.2. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 5.3. Size:910K  oriental semi
osg70r360ksf.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

 5.4. Size:944K  oriental semi
osg70r360dsf.pdf

OSG70R360FTF
OSG70R360FTF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top