OSG70R360FTF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG70R360FTF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG70R360FTF
OSG70R360FTF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG70R350FF , OSG70R350KF , OSG70R350PF , OSG70R360DF , OSG70R360DSF , OSG70R360DTF , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , AON7403 , OSG70R360KSF , OSG70R420DEF , OSG70R500AF , OSG70R500DF , OSG70R500FF , OSG70R500PF , OSG70R600AF , OSG70R600DF .
History: SQ7414AEN | RJK4532DPH-E0 | FQB9N50CTM | FQI6N15TU | PSMN009-100P | FQI6N40CTU
History: SQ7414AEN | RJK4532DPH-E0 | FQB9N50CTM | FQI6N15TU | PSMN009-100P | FQI6N40CTU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet