OSG70R360KSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R360KSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG70R360KSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R360KSF даташит

 ..1. Size:910K  oriental semi
osg70r360ksf.pdfpdf_icon

OSG70R360KSF

 5.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R360KSF

 5.2. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdfpdf_icon

OSG70R360KSF

 5.3. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdfpdf_icon

OSG70R360KSF

Другие IGBT... OSG70R350KF, OSG70R350PF, OSG70R360DF, OSG70R360DSF, OSG70R360DTF, OSG70R360FSF, OSG70R360FSF-NB, OSG70R360FTF, MMIS60R580P, OSG70R420DEF, OSG70R500AF, OSG70R500DF, OSG70R500FF, OSG70R500PF, OSG70R600AF, OSG70R600DF, OSG70R600DSF