Справочник MOSFET. OSG70R360KSF

 

OSG70R360KSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG70R360KSF
   Маркировка: OSG70R360KS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20.6 nC
   Время нарастания (tr): 25.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 94.8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для OSG70R360KSF

 

 

OSG70R360KSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  oriental semi
osg70r360ksf.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.2. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.3. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.4. Size:944K  oriental semi
osg70r360dsf.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.5. Size:380K  oriental semi
osg70r360fsf-nb.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

 5.6. Size:987K  oriental semi
osg70r360fsf.pdf

OSG70R360KSF
OSG70R360KSF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top