Справочник MOSFET. OSG70R420DEF

 

OSG70R420DEF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG70R420DEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG70R420DEF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R420DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1010K  oriental semi
osg70r420def.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.2. Size:1062K  oriental semi
osg70r350ff.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.3. Size:916K  oriental semi
osg70r900dtf.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

Другие MOSFET... OSG70R350PF , OSG70R360DF , OSG70R360DSF , OSG70R360DTF , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , OSG70R360FTF , OSG70R360KSF , HY1906P , OSG70R500AF , OSG70R500DF , OSG70R500FF , OSG70R500PF , OSG70R600AF , OSG70R600DF , OSG70R600DSF , OSG70R750AF .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.