OSG70R420DEF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R420DEF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R420DEF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R420DEF даташит

 ..1. Size:1010K  oriental semi
osg70r420def.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.2. Size:1062K  oriental semi
osg70r350ff.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

 8.3. Size:916K  oriental semi
osg70r900dtf.pdfpdf_icon

OSG70R420DEF

Другие IGBT... OSG70R350PF, OSG70R360DF, OSG70R360DSF, OSG70R360DTF, OSG70R360FSF, OSG70R360FSF-NB, OSG70R360FTF, OSG70R360KSF, AOD4184A, OSG70R500AF, OSG70R500DF, OSG70R500FF, OSG70R500PF, OSG70R600AF, OSG70R600DF, OSG70R600DSF, OSG70R750AF