Справочник MOSFET. OSG70R500FF

 

OSG70R500FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG70R500FF
   Маркировка: OSG70R500F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.3 nC
   Время нарастания (tr): 12.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 50.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG70R500FF

 

 

OSG70R500FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  oriental semi
osg70r500ff.pdf

OSG70R500FF
OSG70R500FF

 5.1. Size:1011K  oriental semi
osg70r500af.pdf

OSG70R500FF
OSG70R500FF

 5.2. Size:1012K  oriental semi
osg70r500df.pdf

OSG70R500FF
OSG70R500FF

 5.3. Size:986K  oriental semi
osg70r500pf.pdf

OSG70R500FF
OSG70R500FF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top