Справочник MOSFET. OSG70R600DF

 

OSG70R600DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG70R600DF
   Маркировка: OSG70R600D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.2 nC
   Время нарастания (tr): 16.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 40.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG70R600DF

 

 

OSG70R600DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  oriental semi
osg70r600df.pdf

OSG70R600DF
OSG70R600DF

 4.1. Size:921K  oriental semi
osg70r600dsf.pdf

OSG70R600DF
OSG70R600DF

 5.1. Size:851K  oriental semi
osg70r600ff.pdf

OSG70R600DF
OSG70R600DF

 5.2. Size:838K  oriental semi
osg70r600af.pdf

OSG70R600DF
OSG70R600DF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top