OSG70R750AF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG70R750AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG70R750AF
   Маркировка: OSG70R750A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.2 nC
   Время нарастания (tr): 10.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 33.8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG70R750AF