OSG70R750PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R750PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG70R750PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R750PF даташит

 ..1. Size:984K  oriental semi
osg70r750pf.pdfpdf_icon

OSG70R750PF

 5.1. Size:1043K  oriental semi
osg70r750ff.pdfpdf_icon

OSG70R750PF

 5.2. Size:1010K  oriental semi
osg70r750af.pdfpdf_icon

OSG70R750PF

 5.3. Size:1072K  oriental semi
osg70r750df.pdfpdf_icon

OSG70R750PF

Другие IGBT... OSG70R500DF, OSG70R500FF, OSG70R500PF, OSG70R600AF, OSG70R600DF, OSG70R600DSF, OSG70R750AF, OSG70R750FF, 20N60, OSG70R900DTF, OSG80R069HF, OSG80R140KF, OSG80R190HF, OSG80R190PF, OSG80R1K4AF, OSG80R1K4FF, OSG80R1K4PF