OSG80R140KF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG80R140KF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG80R140KF
   Маркировка: OSG80R140K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 265 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
   Время нарастания (tr): 4.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 165 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG80R140KF