Справочник MOSFET. OSG80R2KFF

 

OSG80R2KFF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG80R2KFF
   Маркировка: OSG80R2KF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG80R2KFF

 

 

OSG80R2KFF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  oriental semi
osg80r2kff.pdf

OSG80R2KFF
OSG80R2KFF

 7.1. Size:844K  oriental semi
osg80r250kf.pdf

OSG80R2KFF
OSG80R2KFF

 7.2. Size:858K  oriental semi
osg80r250pf.pdf

OSG80R2KFF
OSG80R2KFF

 7.3. Size:865K  oriental semi
osg80r250hf.pdf

OSG80R2KFF
OSG80R2KFF

 7.4. Size:858K  oriental semi
osg80r250ff.pdf

OSG80R2KFF
OSG80R2KFF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NDT4N60

 

 
Back to Top