OSG80R380DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG80R380DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG80R380DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R380DF даташит

 ..1. Size:942K  oriental semi
osg80r380df.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 4.1. Size:909K  oriental semi
osg80r380dsf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 5.1. Size:971K  oriental semi
osg80r380pf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 5.2. Size:877K  oriental semi
osg80r380kf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

Другие IGBT... OSG80R1K4PF, OSG80R250HF, OSG80R250KF, OSG80R250PF, OSG80R2KFF, OSG80R300FF, OSG80R300JF, OSG80R300KF, AON6414A, OSG80R380DSF, OSG80R380FF, OSG80R380HF, OSG80R380KF, OSG80R380PF, OSG80R600FF, OSG80R650AF, OSG80R650DF