Справочник MOSFET. OSG80R380DF

 

OSG80R380DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R380DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R380DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  oriental semi
osg80r380df.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 4.1. Size:909K  oriental semi
osg80r380dsf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 5.1. Size:971K  oriental semi
osg80r380pf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

 5.2. Size:877K  oriental semi
osg80r380kf.pdfpdf_icon

OSG80R380DF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MDI5N40RH | PTP11N40 | SFG10R08PF | IXFK73N30 | HAT1108C | APT5010JFLL | IRF9540PBF

 

 
Back to Top

 


 
.