Справочник MOSFET. OSG80R380DSF

 

OSG80R380DSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R380DSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R380DSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  oriental semi
osg80r380dsf.pdfpdf_icon

OSG80R380DSF

 4.1. Size:942K  oriental semi
osg80r380df.pdfpdf_icon

OSG80R380DSF

 5.1. Size:971K  oriental semi
osg80r380pf.pdfpdf_icon

OSG80R380DSF

 5.2. Size:877K  oriental semi
osg80r380kf.pdfpdf_icon

OSG80R380DSF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NP90N04NUH | NVMFS5C628N | FDD6685 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.