Справочник MOSFET. OSG80R600FF

 

OSG80R600FF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R600FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R600FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  oriental semi
osg80r600ff.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.1. Size:1007K  oriental semi
osg80r650pf.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.2. Size:1033K  oriental semi
osg80r650if.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.3. Size:1033K  oriental semi
osg80r650af.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSS70R350DF | IXFH150N20T | IPP530N15N3G | MS65R120C | FDS2070N3 | K2611SB | MEE7816S

 

 
Back to Top

 


 
.