Справочник MOSFET. OSG80R600FF

 

OSG80R600FF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R600FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OSG80R600FF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R600FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  oriental semi
osg80r600ff.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.1. Size:1007K  oriental semi
osg80r650pf.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.2. Size:1033K  oriental semi
osg80r650if.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

 7.3. Size:1033K  oriental semi
osg80r650af.pdfpdf_icon

OSG80R600FF

Другие MOSFET... OSG80R300JF , OSG80R300KF , OSG80R380DF , OSG80R380DSF , OSG80R380FF , OSG80R380HF , OSG80R380KF , OSG80R380PF , AON7408 , OSG80R650AF , OSG80R650DF , OSG80R650FF , OSG80R650IF , OSG80R650PF , OSG80R900DF , OSG80R900FF , OSG90R1K2AF .

History: LND10R040W3 | 2SK2016 | PA010BV | AM1535CE | HGB012NE6A | AP10C325Y | AP4451GYT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.