OSG80R650AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG80R650AF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG80R650AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R650AF даташит

 ..1. Size:1033K  oriental semi
 osg80r650af.pdf pdf_icon

OSG80R650AF

 5.1. Size:1007K  oriental semi
 osg80r650pf.pdf pdf_icon

OSG80R650AF

 5.2. Size:1033K  oriental semi
 osg80r650if.pdf pdf_icon

OSG80R650AF

 5.3. Size:1034K  oriental semi
 osg80r650df.pdf pdf_icon

OSG80R650AF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG80R300KF, OSG80R380DF, OSG80R380DSF, OSG80R380FF, OSG80R380HF, OSG80R380KF, OSG80R380PF, OSG80R600FF, IRF630, OSG80R650DF, OSG80R650FF, OSG80R650IF, OSG80R650PF, OSG80R900DF, OSG80R900FF, OSG90R1K2AF, OSG90R1K2DF