Справочник MOSFET. OSG80R650AF

 

OSG80R650AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG80R650AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG80R650AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  oriental semi
osg80r650af.pdfpdf_icon

OSG80R650AF

 5.1. Size:1007K  oriental semi
osg80r650pf.pdfpdf_icon

OSG80R650AF

 5.2. Size:1033K  oriental semi
osg80r650if.pdfpdf_icon

OSG80R650AF

 5.3. Size:1034K  oriental semi
osg80r650df.pdfpdf_icon

OSG80R650AF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.