OSG80R650AF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: OSG80R650AF
   Маркировка: OSG80R650A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам