OSG90R1K2AF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG90R1K2AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG90R1K2AF
   Маркировка: OSG90R1K2A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
   Время нарастания (tr): 26.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 37.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG90R1K2AF