OSG90R1K2AF datasheet, подбор замены

OSG90R1K2AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG90R1K2AF  📄📄 

Маркировка: OSG90R1K2A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам