OSG90R1K2FF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG90R1K2FF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG90R1K2FF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 26.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG90R1K2FF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:986K oriental semi
osg90r1k2ff.pdf pdf_icon

5.1. Size:849K oriental semi
osg90r1k2kf.pdf pdf_icon

5.2. Size:844K oriental semi
osg90r1k2if.pdf pdf_icon

5.3. Size:843K oriental semi
osg90r1k2df.pdf pdf_icon