Справочник MOSFET. OSG95R1K2FF

 

OSG95R1K2FF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG95R1K2FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG95R1K2FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:967K  oriental semi
osg95r1k2ff.pdfpdf_icon

OSG95R1K2FF

 5.1. Size:944K  oriental semi
osg95r1k2pf.pdfpdf_icon

OSG95R1K2FF

 8.1. Size:910K  oriental semi
osg95r750df.pdfpdf_icon

OSG95R1K2FF

 8.2. Size:919K  oriental semi
osg95r500hf.pdfpdf_icon

OSG95R1K2FF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N65KG-TM3-T | STU16N65M2 | 1N60L-TMS2-T | WMN25N65EM | FCHD040N65S3 | FDC2512F095 | HY3003P

 

 
Back to Top

 


 
.