OSG95R750DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG95R750DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG95R750DF
   Маркировка: OSG95R750D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 950 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.4 nC
   Время нарастания (tr): 19.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 49 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG95R750DF