OSS65R240JF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS65R240JF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: PDFN8X8

Аналог (замена) для OSS65R240JF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSS65R240JF даташит

 ..1. Size:930K  oriental semi
oss65r240jf.pdfpdf_icon

OSS65R240JF

 8.1. Size:847K  oriental semi
oss65r340df.pdfpdf_icon

OSS65R240JF

 8.2. Size:923K  oriental semi
oss65r125pzf.pdfpdf_icon

OSS65R240JF

 8.3. Size:861K  oriental semi
oss65r340ff.pdfpdf_icon

OSS65R240JF

Другие IGBT... OSS60R099JF, OSS60R099KF, OSS60R099PF, OSS60R099TF, OSS60R190FF, OSS60R190JF, OSS60R190PF, OSS65R125PZF, 4N60, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, SFG08R08PF