OSS70R350DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS70R350DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSS70R350DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSS70R350DF даташит

 ..1. Size:887K  oriental semi
 oss70r350df.pdf pdf_icon

OSS70R350DF

Другие IGBT... OSS60R190FF, OSS60R190JF, OSS60R190PF, OSS65R125PZF, OSS65R240JF, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, 10N65, SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF