Справочник MOSFET. SFG08R16BF

 

SFG08R16BF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG08R16BF
   Маркировка: SFG08R16B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 343.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG08R16BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  oriental semi
sfg08r16bf.pdfpdf_icon

SFG08R16BF

 6.1. Size:852K  oriental semi
sfg08r16df.pdfpdf_icon

SFG08R16BF

 8.1. Size:1066K  oriental semi
sfg08r08gf.pdfpdf_icon

SFG08R16BF

 8.2. Size:1041K  oriental semi
sfg08r08pf.pdfpdf_icon

SFG08R16BF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFU420A | SSM3J338R | VBZFB20N06 | ME85P03-G | IXFT26N50

 

 
Back to Top

 


 
.