Справочник MOSFET. SFG08S06DF

 

SFG08S06DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG08S06DF
   Маркировка: SFG08S06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1304.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SFG08S06DF

 

 

SFG08S06DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  oriental semi
sfg08s06df.pdf

SFG08S06DF
SFG08S06DF

 6.1. Size:973K  oriental semi
sfg08s06gf.pdf

SFG08S06DF
SFG08S06DF

 8.1. Size:822K  oriental semi
sfg08s10bf.pdf

SFG08S06DF
SFG08S06DF

 8.2. Size:939K  oriental semi
sfg08s10df.pdf

SFG08S06DF
SFG08S06DF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top