Справочник MOSFET. SFG08S10DF

 

SFG08S10DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG08S10DF
   Маркировка: SFG08S10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG08S10DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  oriental semi
sfg08s10df.pdfpdf_icon

SFG08S10DF

 6.1. Size:822K  oriental semi
sfg08s10bf.pdfpdf_icon

SFG08S10DF

 8.1. Size:973K  oriental semi
sfg08s06gf.pdfpdf_icon

SFG08S10DF

 8.2. Size:992K  oriental semi
sfg08s06df.pdfpdf_icon

SFG08S10DF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FTK4N70P | AP9467GH | SQJ844EP

 

 
Back to Top

 


 
.