SFG100N08GF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SFG100N08GF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1779 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для SFG100N08GF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG100N08GF даташит
Другие IGBT... SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF, SFG08S10BF, SFG08S10DF, 2N60, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF, SFG10R05IF, SFG10R05KF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457







