SFG100N08GF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG100N08GF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1779 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для SFG100N08GF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG100N08GF даташит

 ..1. Size:844K  oriental semi
sfg100n08gf.pdfpdf_icon

SFG100N08GF

 5.1. Size:955K  oriental semi
sfg100n08kf.pdfpdf_icon

SFG100N08GF

 5.2. Size:881K  oriental semi
sfg100n08pf.pdfpdf_icon

SFG100N08GF

 7.1. Size:818K  oriental semi
sfg100n10kf.pdfpdf_icon

SFG100N08GF

Другие IGBT... SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF, SFG08S10BF, SFG08S10DF, 2N60, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF, SFG10R05IF, SFG10R05KF