SFG10R08GF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG10R08GF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG10R08GF
   Маркировка: SFG10R08G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 148 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60.7 nC
   Время нарастания (tr): 8.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 560 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для SFG10R08GF