Справочник MOSFET. SFG10R10BF

 

SFG10R10BF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG10R10BF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 359 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SFG10R10BF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG10R10BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1059K  oriental semi
sfg10r10bf.pdfpdf_icon

SFG10R10BF

 6.1. Size:961K  oriental semi
sfg10r10df.pdfpdf_icon

SFG10R10BF

 6.2. Size:1021K  oriental semi
sfg10r10pf.pdfpdf_icon

SFG10R10BF

 6.3. Size:989K  oriental semi
sfg10r10ff.pdfpdf_icon

SFG10R10BF

Другие MOSFET... SFG10R05FF , SFG10R05IF , SFG10R05KF , SFG10R05PF , SFG10R08BF , SFG10R08GF , SFG10R08PF , SFG10R10AF , 8N60 , SFG10R10DF , SFG10R10FF , SFG10R10GF , SFG10R10IF , SFG10R10PF , SFG10R12AF , SFG10R12BF , SFG10R12DF .

History: IPA60R060C7 | FDB28N30TM

 

 
Back to Top

 


 
.