SFG10R10IF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFG10R10IF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG10R10IF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SFG10R08BF , SFG10R08GF , SFG10R08PF , SFG10R10AF , SFG10R10BF , SFG10R10DF , SFG10R10FF , SFG10R10GF , MMD60R360PRH , SFG10R10PF , SFG10R12AF , SFG10R12BF , SFG10R12DF , SFG10R12GF , SFG10R12PF , SFG10R140DF , SFG10R14BF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264