SFG10R10PF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SFG10R10PF
   Маркировка: SFG10R10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам