Справочник MOSFET. SFG10R12BF

 

SFG10R12BF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG10R12BF
   Маркировка: SFG10R12B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 359 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SFG10R12BF

 

 

SFG10R12BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1099K  oriental semi
sfg10r12bf.pdf

SFG10R12BF
SFG10R12BF

 6.1. Size:891K  oriental semi
sfg10r12af.pdf

SFG10R12BF
SFG10R12BF

 6.2. Size:907K  oriental semi
sfg10r12df.pdf

SFG10R12BF
SFG10R12BF

 6.3. Size:970K  oriental semi
sfg10r12pf.pdf

SFG10R12BF
SFG10R12BF

 6.4. Size:909K  oriental semi
sfg10r12gf.pdf

SFG10R12BF
SFG10R12BF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDMS86101

 

 
Back to Top