SFG10R12DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SFG10R12DF
   Маркировка: SFG10R12D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 359.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам