SFG10R12DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG10R12DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG10R12DF
   Маркировка: SFG10R12D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 49.9 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 359.3 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFG10R12DF