Справочник MOSFET. SFG10R12GF

 

SFG10R12GF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG10R12GF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 359.3 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для SFG10R12GF

 

 

SFG10R12GF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  oriental semi
sfg10r12gf.pdf

SFG10R12GF
SFG10R12GF

 6.1. Size:891K  oriental semi
sfg10r12af.pdf

SFG10R12GF
SFG10R12GF

 6.2. Size:907K  oriental semi
sfg10r12df.pdf

SFG10R12GF
SFG10R12GF

 6.3. Size:1099K  oriental semi
sfg10r12bf.pdf

SFG10R12GF
SFG10R12GF

 6.4. Size:970K  oriental semi
sfg10r12pf.pdf

SFG10R12GF
SFG10R12GF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top