SFG10R14BF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SFG10R14BF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для SFG10R14BF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG10R14BF даташит
Другие IGBT... SFG10R10IF, SFG10R10PF, SFG10R12AF, SFG10R12BF, SFG10R12DF, SFG10R12GF, SFG10R12PF, SFG10R140DF, IRFZ44N, SFG10R14GF, SFG10R20AF, SFG10R20BF, SFG10R20DF, SFG10R20GF, SFG10R20PF, SFG10R50DF, SFG10R75BCF
History: P2206BT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079















