SFG10R14BF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SFG10R14BF
   Маркировка: SFG10R14B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам