SFG10S20GF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG10S20GF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10S20GF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG10S20GF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:760K oriental semi
sfg10s20gf.pdf pdf_icon

6.1. Size:883K oriental semi
sfg10s20df.pdf pdf_icon

7.1. Size:899K oriental semi
sfg10s25df.pdf pdf_icon

8.1. Size:921K oriental semi
sfg10s12bf.pdf pdf_icon