SFG12R03HNF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFG12R03HNF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 152 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4370 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SFG12R03HNF
SFG12R03HNF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SFG10S12DF , SFG10S20DF , SFG10S20GF , SFG10S25DF , SFG110N12FF , SFG110N12IF , SFG110N12KF , SFG110N12PF , 8205A , SFG12R12DF , SFG12R12GF , SFG130N08KF , SFG130N08PF , SFG130N10FF , SFG130N10KF , SFG130N10PF , SFG130N15PF .
