SFG12R03HNF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG12R03HNF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG12R03HNF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 152 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO247

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG12R03HNF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:917K oriental semi
sfg12r03hnf.pdf pdf_icon

8.1. Size:946K oriental semi
sfg12r12df.pdf pdf_icon

8.2. Size:900K oriental semi
sfg12r12gf.pdf pdf_icon