Справочник MOSFET. SFG12R12GF

 

SFG12R12GF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG12R12GF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для SFG12R12GF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG12R12GF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  oriental semi
sfg12r12gf.pdfpdf_icon

SFG12R12GF

 6.1. Size:946K  oriental semi
sfg12r12df.pdfpdf_icon

SFG12R12GF

 8.1. Size:917K  oriental semi
sfg12r03hnf.pdfpdf_icon

SFG12R12GF

Другие MOSFET... SFG10S20GF , SFG10S25DF , SFG110N12FF , SFG110N12IF , SFG110N12KF , SFG110N12PF , SFG12R03HNF , SFG12R12DF , AON7408 , SFG130N08KF , SFG130N08PF , SFG130N10FF , SFG130N10KF , SFG130N10PF , SFG130N15PF , SFG150N10KF , SFG150N10PF .

History: MTB2D5N03BH8 | IRF7506PBF | IRFP4468 | BUK445-600B | AONY36352 | FQA28N50

 

 
Back to Top

 


 
.