Справочник MOSFET. SFG12R12GF

 

SFG12R12GF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG12R12GF
   Маркировка: SFG12R12G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для SFG12R12GF

 

 

SFG12R12GF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  oriental semi
sfg12r12gf.pdf

SFG12R12GF
SFG12R12GF

 6.1. Size:946K  oriental semi
sfg12r12df.pdf

SFG12R12GF
SFG12R12GF

 8.1. Size:917K  oriental semi
sfg12r03hnf.pdf

SFG12R12GF
SFG12R12GF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top