SFG130N10FF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG130N10FF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG130N10FF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG130N10FF даташит

 ..1. Size:956K  oriental semi
sfg130n10ff.pdfpdf_icon

SFG130N10FF

 5.1. Size:990K  oriental semi
sfg130n10pf.pdfpdf_icon

SFG130N10FF

 5.2. Size:880K  oriental semi
sfg130n10kf.pdfpdf_icon

SFG130N10FF

 6.1. Size:986K  oriental semi
sfg130n15pf.pdfpdf_icon

SFG130N10FF

Другие IGBT... SFG110N12IF, SFG110N12KF, SFG110N12PF, SFG12R03HNF, SFG12R12DF, SFG12R12GF, SFG130N08KF, SFG130N08PF, AON7408, SFG130N10KF, SFG130N10PF, SFG130N15PF, SFG150N10KF, SFG150N10PF, SFG15N10DF, SFG15R25GF, SFG170N10KF