Справочник MOSFET. SFG130N10KF

 

SFG130N10KF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG130N10KF
   Маркировка: SFG130N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 101.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SFG130N10KF

 

 

SFG130N10KF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  oriental semi
sfg130n10kf.pdf

SFG130N10KF
SFG130N10KF

 5.1. Size:990K  oriental semi
sfg130n10pf.pdf

SFG130N10KF
SFG130N10KF

 5.2. Size:956K  oriental semi
sfg130n10ff.pdf

SFG130N10KF
SFG130N10KF

 6.1. Size:986K  oriental semi
sfg130n15pf.pdf

SFG130N10KF
SFG130N10KF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top