Справочник MOSFET. SFG130N10PF

 

SFG130N10PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG130N10PF
   Маркировка: SFG130N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 101.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SFG130N10PF

 

 

SFG130N10PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  oriental semi
sfg130n10pf.pdf

SFG130N10PF
SFG130N10PF

 5.1. Size:956K  oriental semi
sfg130n10ff.pdf

SFG130N10PF
SFG130N10PF

 5.2. Size:880K  oriental semi
sfg130n10kf.pdf

SFG130N10PF
SFG130N10PF

 6.1. Size:986K  oriental semi
sfg130n15pf.pdf

SFG130N10PF
SFG130N10PF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SFG100N08GF

 

 
Back to Top