SFG130N10PF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG130N10PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG130N10PF
   Маркировка: SFG130N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 101.6 nC
   Время нарастания (tr): 7.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 792 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFG130N10PF