Справочник MOSFET. SFG130N10PF

 

SFG130N10PF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG130N10PF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFG130N10PF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG130N10PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  oriental semi
sfg130n10pf.pdfpdf_icon

SFG130N10PF

 5.1. Size:956K  oriental semi
sfg130n10ff.pdfpdf_icon

SFG130N10PF

 5.2. Size:880K  oriental semi
sfg130n10kf.pdfpdf_icon

SFG130N10PF

 6.1. Size:986K  oriental semi
sfg130n15pf.pdfpdf_icon

SFG130N10PF

Другие MOSFET... SFG110N12PF , SFG12R03HNF , SFG12R12DF , SFG12R12GF , SFG130N08KF , SFG130N08PF , SFG130N10FF , SFG130N10KF , 12N60 , SFG130N15PF , SFG150N10KF , SFG150N10PF , SFG15N10DF , SFG15R25GF , SFG170N10KF , SFG170N10PF , SFG180N10HF .

History: SFP041N100C3 | KIA2N60H-252 | NCE3008N | RU30E4B | WMQ37N03T1 | TMC8N65H | HRS88N08K

 

 
Back to Top

 


 
.