SFG150N10KF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG150N10KF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 138 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG150N10KF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG150N10KF даташит

 ..1. Size:899K  oriental semi
sfg150n10kf.pdfpdf_icon

SFG150N10KF

 5.1. Size:1004K  oriental semi
sfg150n10pf.pdfpdf_icon

SFG150N10KF

 9.1. Size:978K  oriental semi
sfg15n10df.pdfpdf_icon

SFG150N10KF

 9.2. Size:830K  oriental semi
sfg15r25gf.pdfpdf_icon

SFG150N10KF

Другие IGBT... SFG12R12DF, SFG12R12GF, SFG130N08KF, SFG130N08PF, SFG130N10FF, SFG130N10KF, SFG130N10PF, SFG130N15PF, IRF9540N, SFG150N10PF, SFG15N10DF, SFG15R25GF, SFG170N10KF, SFG170N10PF, SFG180N10HF, SFG180N10KF, SFG180N10PF