Справочник MOSFET. SFG60N12FF

 

SFG60N12FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG60N12FF
   Маркировка: SFG60N12F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1248 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SFG60N12FF

 

 

SFG60N12FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  oriental semi
sfg60n12ff.pdf

SFG60N12FF
SFG60N12FF

 6.1. Size:906K  oriental semi
sfg60n12pf.pdf

SFG60N12FF
SFG60N12FF

 6.2. Size:854K  oriental semi
sfg60n12gf.pdf

SFG60N12FF
SFG60N12FF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top