SFS04R013UGF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFS04R013UGF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS04R013UGF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 16.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1951 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFS04R013UGF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:861K oriental semi
sfs04r013ugf.pdf pdf_icon

7.1. Size:993K oriental semi
sfs04r02dnf.pdf pdf_icon

7.2. Size:825K oriental semi
sfs04r02kf.pdf pdf_icon

7.3. Size:914K oriental semi
sfs04r02pf.pdf pdf_icon