SFS04R025UNF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS04R025UNF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 529 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFS04R025UNF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS04R025UNF даташит

 ..1. Size:904K  oriental semi
sfs04r025unf.pdfpdf_icon

SFS04R025UNF

 6.1. Size:993K  oriental semi
sfs04r02dnf.pdfpdf_icon

SFS04R025UNF

 6.2. Size:825K  oriental semi
sfs04r02kf.pdfpdf_icon

SFS04R025UNF

 6.3. Size:914K  oriental semi
sfs04r02pf.pdfpdf_icon

SFS04R025UNF

Другие IGBT... SFG280N08PF, SFG60N12FF, SFG60N12GF, SFG60N12PF, SFS03R01GF, SFS03R05UGF, SFS03R06NF, SFS04R013UGF, AON7506, SFS04R02DF, SFS04R02DNF, SFS04R02GF, SFS04R02KF, SFS04R02PF, SFS06R013UGF, SFS06R02DF, SFS06R02GF