Справочник MOSFET. SFS06R013UGF

 

SFS06R013UGF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFS06R013UGF
   Маркировка: SFS06R013UG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2549 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS06R013UGF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  oriental semi
sfs06r013ugf.pdfpdf_icon

SFS06R013UGF

 7.1. Size:879K  oriental semi
sfs06r06df.pdfpdf_icon

SFS06R013UGF

 7.2. Size:895K  oriental semi
sfs06r06lgf.pdfpdf_icon

SFS06R013UGF

 7.3. Size:883K  oriental semi
sfs06r06ugf.pdfpdf_icon

SFS06R013UGF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPD70N12S3L-12 | MTN60NF06LJ3 | FMR23N50ES | AP4P052H | SM6F02NSF | 2SK3514-01 | IXTM4N95

 

 
Back to Top

 


 
.