SFS06R02UGF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFS06R02UGF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 67.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1254 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SFS06R02UGF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AM3400A | AP2306CGN-HF | 2SJ254 | HSP18N20 | IXFK60N55Q2 | BL4N80A-D | APT41M80B2
History: AM3400A | AP2306CGN-HF | 2SJ254 | HSP18N20 | IXFK60N55Q2 | BL4N80A-D | APT41M80B2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet