SFS06R02UGF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFS06R02UGF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS06R02UGF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 67.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1254 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFS06R02UGF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:818K oriental semi
sfs06r02ugf.pdf pdf_icon

6.1. Size:1004K oriental semi
sfs06r02pf.pdf pdf_icon

6.2. Size:884K oriental semi
sfs06r02df.pdf pdf_icon

6.3. Size:962K oriental semi
sfs06r02gf.pdf pdf_icon