Справочник MOSFET. SFS06R02UGF

 

SFS06R02UGF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFS06R02UGF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1254 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS06R02UGF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  oriental semi
sfs06r02ugf.pdfpdf_icon

SFS06R02UGF

 6.1. Size:1004K  oriental semi
sfs06r02pf.pdfpdf_icon

SFS06R02UGF

 6.2. Size:884K  oriental semi
sfs06r02df.pdfpdf_icon

SFS06R02UGF

 6.3. Size:962K  oriental semi
sfs06r02gf.pdfpdf_icon

SFS06R02UGF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM3400A | AP2306CGN-HF | 2SJ254 | HSP18N20 | IXFK60N55Q2 | BL4N80A-D | APT41M80B2

 

 
Back to Top

 


 
.