SFS06R10DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS06R10DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFS06R10DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS06R10DF даташит

 ..1. Size:1003K  oriental semi
sfs06r10df.pdfpdf_icon

SFS06R10DF

 6.1. Size:856K  oriental semi
sfs06r10nf.pdfpdf_icon

SFS06R10DF

 6.2. Size:891K  oriental semi
sfs06r10pf.pdfpdf_icon

SFS06R10DF

 6.3. Size:885K  oriental semi
sfs06r10gf.pdfpdf_icon

SFS06R10DF

Другие IGBT... SFS06R03FF, SFS06R03GF, SFS06R045UNF, SFS06R06FF, SFS06R06GF, SFS06R06LGF, SFS06R06UGF, SFS06R10BF, IRFZ24N, SFS06R10GF, SFS06R10NF, SFS06R10PF, SFS08R03GNF, SFS08R07GF, SFS08R08BF, SFS08R08DF, SFS08R20PF