ASDM30P30CTD-R - описание и поиск аналогов

 

ASDM30P30CTD-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASDM30P30CTD-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для ASDM30P30CTD-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30P30CTD-R даташит

 ..1. Size:435K  1
 asdm30p30ctd-r.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD-R

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 2.1. Size:577K  1
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD-R

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 2.2. Size:435K  ascend
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD-R

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 7.1. Size:514K  1
 asdm30p11td-r.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD-R

ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , IRF640N , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.