DMN3009LFVW-7 - описание и поиск аналогов

 

DMN3009LFVW-7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3009LFVW-7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: POWERDI3333-8

Аналог (замена) для DMN3009LFVW-7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3009LFVW-7 даташит

 ..1. Size:544K  1
dmn3009lfvw-7.pdfpdf_icon

DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max BVDSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25 C density end products 5.0m @ VGS = 10V 60A Occupies just 33% of the board area occupied b

 3.1. Size:544K  diodes
dmn3009lfvw.pdfpdf_icon

DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max BVDSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25 C density end products 5.0m @ VGS = 10V 60A Occupies just 33% of the board area occupied b

 7.1. Size:591K  diodes
dmn3009sk3.pdfpdf_icon

DMN3009LFVW-7

DMN3009SK3 Green 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TC = +25 C Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 5.5m @ VGS = 10V 80A 30V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 9.0m @ VGS = 4.5V 60A Qualified to AEC-Q101 Standards for H

 7.2. Size:265K  inchange semiconductor
dmn3009sk3.pdfpdf_icon

DMN3009LFVW-7

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN3009SK3 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , AON6414A , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , DMP2002UPS-13 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 , DMP3010LPSQ-13 .

History: 2SK678

 

 

 

 

↑ Back to Top
.