DMNH4006SPSQ-13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMNH4006SPSQ-13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMNH4006SPSQ-13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMNH4006SPSQ-13 даташит

 0.1. Size:527K  1
 dmnh4006spsq-13.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ Green 40V N-CHANNEL 175 C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 2.1. Size:527K  diodes
 dmnh4006spsq.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ Green 40V N-CHANNEL 175 C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 5.1. Size:471K  diodes
 dmnh4006sk3.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SK3 Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 C Low Input Capacitance 40V 6m @ VGS = 10V 140A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability De

 5.2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh4006sk3.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ-13

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH4006SK3 FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.0m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFN8405TR, CJAC100SN08U, CJAC110SN10A, CJAC80SN10, DMN3009LFVW-7, DMN3010LFG-7, DMN3016LPS-13, DMNH10H028SPSQ-13, 8205A, DMP2002UPS-13, DMP22M2UPS-13, DMP3007SPS-13, DMP3010LPSQ-13, DMP3013SFV-13, DMP3013SFV-7, DMP3017SFV-7, DMP4015SPS-13