Справочник MOSFET. DMNH4006SPSQ-13

 

DMNH4006SPSQ-13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMNH4006SPSQ-13
   Маркировка: NH4006SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8

 Аналог (замена) для DMNH4006SPSQ-13

 

 

DMNH4006SPSQ-13 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:527K  1
 dmnh4006spsq-13.pdf

DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ Green40V N-CHANNEL 175C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 2.1. Size:527K  diodes
 dmnh4006spsq.pdf

DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ Green40V N-CHANNEL 175C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 5.1. Size:471K  diodes
 dmnh4006sk3.pdf

DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SK3 Green40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25C Low Input Capacitance 40V 6m @ VGS = 10V 140A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability De

 5.2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh4006sk3.pdf

DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ-13

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH4006SK3FEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTM232230LBF | SP2112

 

 
Back to Top