Справочник MOSFET. DMP2002UPS-13

 

DMP2002UPS-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMP2002UPS-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2547 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8
 

 Аналог (замена) для DMP2002UPS-13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP2002UPS-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  1
dmp2002ups-13.pdfpdf_icon

DMP2002UPS-13

DMP2002UPS Green20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 1.9m @ VGS = -10V -60A

 4.1. Size:592K  diodes
dmp2002ups.pdfpdf_icon

DMP2002UPS-13

DMP2002UPS Green20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 1.9m @ VGS = -10V -60A

 8.1. Size:598K  diodes
dmp2003ups.pdfpdf_icon

DMP2002UPS-13

DMP2003UPS Green20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 2.2m @ VGS = -10V -150A

 8.2. Size:398K  diodes
dmp2006ufg.pdfpdf_icon

DMP2002UPS-13

DMP2006UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25C Small form factor, thermally efficient package enables higher density end products 5.5m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 7.5m

Другие MOSFET... CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , STP75NF75 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 , DMP3010LPSQ-13 , DMP3013SFV-13 , DMP3013SFV-7 , DMP3017SFV-7 , DMP4015SPS-13 , DMT10H015LPS-13 .

History: INK0210AC1 | IRHM7450SE | LPM9042 | IXTQ100N25P | JCS7N80FH | AOD404 | IPD90N04S4-03

 

 
Back to Top

 


 
.